深圳市质嘉达科技有限公司

AO4410 场效应管MOSFET N沟道全新现货

品牌:全新 型号:AO4410 封装:SOP8 批号:2019+RoHS FET类型:标志 漏源电压（Vdss）:6 漏极电流(Id):5 漏源导通电阻(RDS On):4 栅源电压(Vgs):5 栅极电荷(Qg):6 反向恢复时间:9 耗散功率:8 配置类型:7 工作温度范围:150 安装类型:贴片 应用领域:3C数码

BSC032N04LS N沟道MOSFET场效应管 原装现货

型号/规格:BSC032N04LS 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TDFN-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

BSS138K N沟道MOSFET场效应管 原装现货

型号/规格:BSS138K 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

NTS4101PT1G P沟道MOSFET场效应管 原装现货

型号/规格:NTS4101PT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-323 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

AO4924 双N沟道MOSFET场效应管 深圳现货

型号/规格:AO4924 品牌/商标:AOS 封装形式:SOP8 环保类别:普通型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 数量:3000/盘

BSS84-7-F SOT-23贴片P沟道MOS场效应管

品牌:全新 型号:BSS84-7-F 封装:SOT-23 批号:新年份 FET类型:标准 漏源电压（Vdss）:50 漏极电流(Id):0.13 漏源导通电阻(RDS On):10 栅源电压(Vgs):2 栅极电荷(Qg):5 反向恢复时间:6 耗散功率:9 配置类型:8 工作温度范围:7 安装类型:4 应用领域:3C数码 货号:1圆盘3000个

AO4407A P沟道MOS场效应管

品牌:全新 型号:AO4407 封装:SOP-8 批号:年份 FET类型:P沟道 漏源电压（Vdss）:-30V 漏极电流(Id):-12A 漏源导通电阻(RDS On):13 栅源电压(Vgs):25 栅极电荷(Qg):4 反向恢复时间:6 耗散功率:200 配置类型:标准 工作温度范围:150 安装类型:贴片 应用领域:3C数码, 商品编码:262 货号:261 订货号:263

AO4606 MOS场效应管 N+P双沟道

品牌:全新 型号:AO4606 封装:SOP8 批号:2019+RoHS FET类型:标志 漏源电压（Vdss）:1 漏极电流(Id):5 漏源导通电阻(RDS On):6 栅源电压(Vgs):3 栅极电荷(Qg):1 反向恢复时间:5 耗散功率:6 配置类型:5 工作温度范围:150 安装类型:贴片 应用领域:3C数码

供应AO3400场效应管，30V5.8A，N沟道MOSFET

型号/规格:AO3400 品牌/商标:AOS 封装形式:SOT23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 数量:288000 批次:

供应AO3401A场效应管，30V4A，P沟道MOSFET

型号/规格:AO3401A 品牌/商标:AOS 封装形式:SOT23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率

全新AO4822A场效应管,30V8A,双N沟道MOSFET,

型号/规格:AO4822A/SOP8 品牌/商标:AOS 封装形式:SOP8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 数量:68000 批次:

全新AO4812场效应管,30V6A,双N沟道MOSFET,

型号/规格:AO4812/SOP8 品牌/商标:AOS 封装形式:SOP8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 数量:128000 批次:

全新AO8810场效应管,20V7A,N沟道MOSFET,

型号/规格:AO8810/TSSOP8 品牌/商标:AOS 封装形式:TSSOP8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 数量:588000 批次: